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参数目录41885
> STF10NM60ND MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
型号:
STF10NM60ND
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
STF10NM60ND PDF
其它有关文件
STF10NM60ND View All Specifications
标准包装
50
系列
FDmesh™ II
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
550 毫欧 @ 4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
19nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
540pF @ 50V
功率 - 最大
25W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件
其它名称
497-12246
查看STF10NM60ND代理商
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